檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "Dong-Hau Kuo".eadvisor (精準) and year="104"
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本研究主要是探討在室溫下以反應磁控濺鍍系統，先以銀靶材濺鍍找出能形成 Ag 2 O 的最適氬氣/氧氣的流量比後，再利用該最佳濺鍍條件進行由化學合成得到的氧化銀/氧化鋅複合粉體所熱壓的自製靶材來製作氧…
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為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程，與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材，一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁，銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶，…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜，並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體，進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…
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本研究藉由溶膠-凝膠法，以溴化十六烷基三甲銨(CTAB)界面活性劑做為主要模板，四乙氧基矽烷(TEOS)作為矽源，再加入第二/第三種高分子材料或採用鐵氰化鉀為蝕刻劑進行蝕刻處理，分別於水相或油水混合…
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近年來，隨著能源危機的出現，許多研究者也紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池的相關研究。在此領域之中，時常會使用硫化鎘以及氧化鋅作為太陽能電池的n型半導體層，然而，硫化鎘本身含有毒性，因此本實驗要利用G…
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本論文主要是探討以混成高分子膜塗佈於不織布方式，將具有良好光催化與抗菌功能氧化鋅無機光觸媒形成混成膜塗佈在不織布上。接著針對塗佈薄膜進行製程改變，如各種光觸媒溶液、不同之濃度，並對於經過不同製程改善…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…